SOI

SOI是硅基光电子常用的材料平台，可用于制备各类无源及有源硅光器件。

  • 光波导
  • 耦合光栅/端面耦合器
  • MMI/AWG/Ring…
  • 调制器
  • Ge PD
  • … …

Silicon Photonics Platform（SPP）可提供基于SOI的全套硅光流片服务，涵盖器件与版图设计、流片、测试及封装等，用户可根据需求选择相应的服务。目前可选择的流片渠道：

比利时imec

比利时imec是最早推出硅光子MPW服务的机构，采用130nm工艺，基于8英寸SOI衬底，芯层硅厚度220nm，BOX层厚度2μm，可提供除激光器外的全套硅光器件制备。

Imec可提供两种类型的硅光子MPW服务，passives和ISIPP50G，更多信息可查阅该页面，也欢迎联系我们咨询。

 PassivesISIPP50G
描述三层硅刻蚀

  • WG：220nm全刻蚀，用于条形波导等

  • FC：70nm硅刻蚀，用于耦合光栅等

  • SK：150nm硅刻蚀


cladding可选择SiO2或光刻胶保护

  • WG：220nm全刻蚀，用于条形波导等

  • FC：70nm硅刻蚀，用于耦合光栅等

  • SK：150nm硅刻蚀，用于调制器波导等

  • Poly-Si：160nm厚度，提供两种深度刻蚀，提升光栅耦合效率

  • 离子注入：3xN/P,用于电光调制器及加热电极制作

  • Ge PD

  • Ge 电吸收调制器

  • 两层金属互连

  • 端面耦合


流片日程及价格信息请参阅http://www.europractice-ic.com/SiPhotonics_runschedule.php

中科院微电子所

中科院微电子所的硅光子流片平台基于8英寸CMOS工艺线，采用180nm工艺，衬底为SOI（芯层硅220nm，BOX层3μm）。目前已开放“无源+热电极”MPW服务。

工艺无源工艺三层硅刻蚀(220nm,70nm,150nm)
SiO2 cladding
热电极工艺TiN：100nm厚
AlCu引线和bondpad
规格*Block size: 7.90mm x 2.80mm
价格（税前）*29000元/block （无源）
39000元/block （无源+热电极）


* 规格与价格可能发生变动，以流片通知为准。

微电子所工艺示意图