SOI

SOI是硅基光电子常用的材料平台,可用于制备各类无源及有源硅光器件。

  • 光波导
  • 耦合光栅/端面耦合器
  • MMI/AWG/Ring…
  • 调制器
  • Ge PD
  • … …

Silicon Photonics Platform(SPP)可提供基于SOI的全套硅光流片服务,涵盖器件与版图设计、流片、测试及封装等,用户可根据需求选择相应的服务。目前可选择的流片渠道:

比利时imec

比利时imec是最早推出硅光子MPW服务的机构,采用130nm工艺,基于8英寸SOI衬底,芯层硅厚度220nm,BOX层厚度2μm,可提供除激光器外的全套硅光器件制备。

Imec可提供两种类型的硅光子MPW服务,passives和ISIPP50G,更多信息可查阅该页面,也欢迎联系我们咨询。

 PassivesISIPP50G
描述三层硅刻蚀

  • WG:220nm全刻蚀,用于条形波导等

  • FC:70nm硅刻蚀,用于耦合光栅等

  • SK:150nm硅刻蚀


cladding可选择SiO2或光刻胶保护

  • WG:220nm全刻蚀,用于条形波导等

  • FC:70nm硅刻蚀,用于耦合光栅等

  • SK:150nm硅刻蚀,用于调制器波导等

  • Poly-Si:160nm厚度,提供两种深度刻蚀,提升光栅耦合效率

  • 离子注入:3xN/P,用于电光调制器及加热电极制作

  • Ge PD

  • Ge 电吸收调制器

  • 两层金属互连

  • 端面耦合




流片日程及价格信息请参阅http://www.europractice-ic.com/SiPhotonics_runschedule.php

 

中科院微电子所

中科院微电子所的硅光子流片平台基于8英寸CMOS工艺线,采用180nm工艺,衬底为SOI(芯层硅220nm,BOX层2μm)。目前已开放“无源+热电极”MPW服务。

工艺无源工艺三层硅刻蚀(220nm,70nm,150nm)
SiO2 cladding
热电极工艺TiN:100nm厚
AlCu引线和bondpad
规格*Block size: 7.90mm x 2.80mm
价格(税前)*29000元/block (无源)
39000元/block (无源+热电极)


* 规格与价格可能发生变动,以流片通知为准。

微电子所工艺示意图